- Codice RS:
- 864-4986
- Codice costruttore:
- FDMS2572
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
1,008 €
(IVA esclusa)
1,23 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Bobina* |
3000 + | 1,008 € | 3.024,00 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 864-4986
- Codice costruttore:
- FDMS2572
- Costruttore:
- onsemi
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 27 A |
Tensione massima drain source | 150 V |
Tipo di package | PQFN8 |
Serie | UltraFET |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 103 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 78 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Larghezza | 6mm |
Materiale del transistor | Si |
Lunghezza | 5mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 31 nC a 10 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 0.75mm |
- Codice RS:
- 864-4986
- Codice costruttore:
- FDMS2572
- Costruttore:
- onsemi
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