MOSFET onsemi, canale Tipo N 25 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 150 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTTFS1D8N02P1E

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Codice RS:
205-2432
Codice costruttore:
NTTFS1D8N02P1E
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

Power

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.2 mm

Lunghezza

3.2mm

Altezza

0.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N 25V serie Power33 ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

La corrente nominale massima di drain è 150A

La resistenza nominale drain-source è 1,3 MOhm

Ingombro ridotto per un design compatto

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Testato al 100% con UIL

Il contenitore è Power 33 (PQFN8)

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