MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 14 mΩ Miglioramento, 61 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMFS015N15MC

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
205-2430
Codice costruttore:
NTMFS015N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

108.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.9 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Lunghezza

5.9mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N 150V serie Power Trench di ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

La corrente nominale massima di drain è 61A

Il valore nominale della resistenza drain-source è 14mohm

Ingombro ridotto (5mm x 6mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Testato al 100% con UIL

Il contenitore è Power 56 (PQFN8)

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