Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 14 mΩ Miglioramento, 61 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMFS015N15MC

Codice RS:: 205-2430
Codice costruttore:: NTMFS015N15MC
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 14 mΩ Miglioramento, 61 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMFS015N15MC

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

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Codice RS:: 205-2430
Codice costruttore:: NTMFS015N15MC
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	61A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Tipo di package	PQFN
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	14mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	27nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	108.7W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.9mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	5.9mm
	Larghezza	4.9mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 61A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Tipo di package PQFN
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 108.7W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.9mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 5.9mm
	Larghezza 4.9mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - NTMFS015N15MC

Il MOSFET a canale N 150V serie Power Trench di ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

La corrente nominale massima di drain è 61A

Il valore nominale della resistenza drain-source è 14mohm

Ingombro ridotto (5mm x 6mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Testato al 100% con UIL

Il contenitore è Power 56 (PQFN8)

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