MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 17 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2697
Codice costruttore:: FDMS8622
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 17 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,496 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,496 €	1.488,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2697
Codice costruttore:: FDMS8622
Costruttore:: onsemi

FDMS8622, 100V N-Channel Power Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	PQFN8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	97 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	31 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	6mm
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 10 V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 17 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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