MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 96 mΩ Miglioramento, 15.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
166-3425
Codice costruttore:
FDD850N10L
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

96mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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