2 MOSFET di potenza ROHM Duale, canale Tipo N, 238 mΩ, 1 A 30 V, TSMT, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 168-2133
- Codice costruttore:
- QS6K1TR
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | 0,325 € | 8,13 € |
| 75 - 125 | 0,299 € | 7,48 € |
| 150 + | 0,264 € | 6,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-2133
- Codice costruttore:
- QS6K1TR
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 238mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.25W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Larghezza | 1.8 mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 238mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.25W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.95mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Larghezza 1.8 mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di tipo di complesso (N+N) sono realizzati come dispositivi a bassa resistenza mediante tecnologie di miniaturizzazione utili per una vasta gamma di applicazioni. Ampia gamma che copre tipi compatti, tipi ad alta potenza e tipi complessi per soddisfare le diverse esigenze del mercato.
Tipo di attivazione 2,5 V
MOSFET di potenza intermedia, canale N
Elevata velocità di commutazione
Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni
Senza piombo
Applicazioni:
Terminale dati portatile
Macchine per la lavorazione dei gettoni
Multimetro digitale: tipo portatile
Controllo di motori: c.c. brushless
PLC (Programmable Logic Controller)
Servomotore C.A.
Network Attached Storage
DVR/DVS
Controllo di motori: motore passo-passo
Controllo di motori: C.C: con spazzole
POS (sistema per punti vendita)
Bicicletta elettrica
PC integrato
Misuratore intelligente
Telecamera di sorveglianza
Macchina di ispezione a raggi X per la sicurezza
Telecamera di sorveglianza per una rete
Interfono/baby phone
Telecamera con visione delle macchine per impieghi industriali
Dispositivo di autenticazione delle impronte digitali
GFCI (interruttore per anomalie di massa)
Multimetro digitale: tipo da banco
Display per EMS
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