2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo P, 0.91 Ω, 3.5 A 60 V, TSMT, Superficie Miglioramento, 8 Pin QH8JC5TCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
223-6207
Codice costruttore:
QH8JC5TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.91Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.3nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.85mm

Lunghezza

3.3mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore TO-3PF. È utilizzato principalmente per la commutazione.

Tempo di recupero inverso (TTR) rapido

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Semplificazione dei circuiti di pilotaggio

Placcatura senza piombo, conformità RoHS

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