MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-4358
Codice costruttore:: CSD17381F4T
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 250)**

0,447 €

(IVA esclusa)

0,545 €

(IVA inclusa)

280 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
250 - 250	0,447 €	111,75 €
500 - 1000	0,402 €	100,50 €
1250 - 2250	0,38 €	95,00 €
2500 +	0,361 €	90,25 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-4358
Codice costruttore:: CSD17381F4T
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,1 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PICOSTAR
Serie	FemtoFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.65V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	0.64mm
Lunghezza	1.04mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	1,04 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.35mm

MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza FemtoFET™ con canale N, Texas Instruments

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