MOSFET IXYS, canale Tipo N 800 V, 270 mΩ Miglioramento, 32 A, 3 Pin, PLUS247, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

790,11 €

(IVA esclusa)

963,93 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 30 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +26,337 €790,11 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-4717
Codice costruttore:
IXFX32N80Q3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

PLUS247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1kW

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

140nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.21 mm

Altezza

21.34mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati