MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 16.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2076,00 €

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Codice RS:
168-6989
Codice costruttore:
STL60N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STripFET H7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.95mm

Lunghezza

5.4mm

Larghezza

6.35 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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