Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale N 60 V, 5.4 mΩ Miglioramento, 90 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL90N6F7

Codice RS:: 906-2855
Codice costruttore:: STL90N6F7
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N 60 V, 5.4 mΩ Miglioramento, 90 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL90N6F7

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1000 - 2990	0,757 €	7,57 €
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Codice RS:: 906-2855
Codice costruttore:: STL90N6F7
Costruttore:: STMicroelectronics

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	STripFET F7
	Tipo di package	PowerFLAT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	25nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	94W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	5.4mm
	Larghezza	6.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	950μm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie STripFET F7
	Tipo di package PowerFLAT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 94W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 5.4mm
	Larghezza 6.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 950μm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

STripFET™ a canale N, serie F7, STMicroelectronics

I MOSFET a bassa tensione serie STripFET™ F7 di STMicroelectronics hanno una resistenza in stato attivo del dispositivo inferiore, con capacità interna e carica di gate minori, per offrire una commutazione più veloce ed efficiente.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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