MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7477
Codice costruttore:: STB160N75F3
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

2,204 €

(IVA esclusa)

2,689 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	2,204 €	2.204,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7477
Codice costruttore:: STB160N75F3
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

STripFET™ a canale V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	75 V
Serie	STripFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	330 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.75mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	85 nC a 10 V
Larghezza	10.4mm
Altezza	4.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C