MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 75 V, 11 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB75NF75LT4
- Codice RS:
- 714-6778
- Codice costruttore:
- STB75NF75LT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
3,99 €
(IVA esclusa)
4,868 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1826 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 + | 1,995 € | 3,99 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 714-6778
- Codice costruttore:
- STB75NF75LT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 75nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 15 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.35 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 75nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 15 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.35 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 11 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 75 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 400 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 380 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 150 mΩ D2PAK (TO-263), Su foro
- MOSFET onsemi 75 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 11 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 11 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
