Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 710 V, 78 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Codice RS:: 168-7618
Codice costruttore:: STW45N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 710 V, 78 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Unità	Per unità	Per Tubo*
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60 - 120	5,144 €	154,32 €
150 +	5,082 €	152,46 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7618
Codice costruttore:: STW45N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	710V
	Tipo di package	TO-247
	Serie	MDmesh M5
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	78mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	210W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	82nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	15.75mm
	Altezza	20.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 710V
	Tipo di package TO-247
	Serie MDmesh M5
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 78mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 210W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 82nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 15.75mm
	Altezza 20.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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