MOSFET Toshiba, canale N, 3,2 mΩ, 214 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET Toshiba, canale N, 3,2 mΩ, 214 A, TO-220, Su foro
Brand: Toshiba
SKU: 168-7773
Price: 2.17 EUR
Availability: InStock

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Aggiunto

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

1,777 €

(IVA esclusa)

2,168 €

(IVA inclusa)

Documentazione Tecnica

Transistor MOSFET, Toshiba

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	214 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	TO-220
Serie	TK
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	255 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	130 nC a 10 V
Lunghezza	10.16mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.45mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	15.1mm