Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	20 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+30 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	20 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+30 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2 A, TO-220FP, Su foro

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