MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 68.8 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
168-9518
Codice costruttore:
DMT10H010LK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

68.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DMT

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.1 mm

Altezza

2.29mm

Lunghezza

6.58mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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