MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 30 mΩ Miglioramento, 46.3 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

690,00 €

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Codice RS:
182-6936
Codice costruttore:
DMTH10H025SK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

46.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DMT

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.7W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.26mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è provvisto di bassa resistenza in stato attivo e rapida commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

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Bassa RDS(ON) - riduce le perdite di potenza

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Finitura senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.

Applicazioni

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Convertitori cc-cc

retroilluminazione

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