MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
182-6893
Codice costruttore:
DMN3009SK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

44W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Altezza

2.26mm

Larghezza

6.2 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Applicazioni

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Convertitori cc-cc

Industriale

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