MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 4 Pin, TO-252, Superficie DMN3009SK3-13

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

9,70 €

(IVA esclusa)

11,825 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1925 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 +0,388 €9,70 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7249
Codice costruttore:
DMN3009SK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

44W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.26mm

Larghezza

6.2 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Applicazioni

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Convertitori cc-cc

Industriale

Link consigliati