1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo P, Tipo N, 170 mΩ, 4.7 A 55 V, SO-8, Superficie Depletion, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:
170-2265
Codice costruttore:
IRF7343TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

IRF7343PbF

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

0.96V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Non conforme

Infineon IRF7343 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale N e P doppio 55V in contenitore SO-8.

Conformità RoHS

Bassa resistenza RDS(on)

Valore nominale dv/dt dinamico

Commutazione rapida

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