MOSFET Infineon, canale N, P, 0,065 Ω, 0,17 Ω, 3,4 A, 4,7 A, SO-8, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza doppi di Infineon integrano due dispositivi HEXFET® per fornire soluzioni di commutazione salvaspazio in progetti ad alta densità di componenti in cui lo spazio su scheda è particolarmente ristretto. È disponibile una vasta gamma di opzioni e i progettisti possono scegliere la configurazione doppia a canale N/P.

Vantaggi:
Bassa resistenza RDS(on)
Valori nominali dinamici dv/dt
Commutazione rapida
MOSFET a canale doppio N e P

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.