MOSFET Infineon, canale N, P, 0,065 Ω, 0,17 Ω, 3,4 A, 4,7 A, SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-1915
Codice costruttore:: IRF7343TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 0,065 Ω, 0,17 Ω, 3,4 A, 4,7 A, SO-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-1915
Codice costruttore:: IRF7343TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	3,4 A, 4,7 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	IRF7343PbF
Tipo di package	SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,065 Ω, 0,17 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Tensione massima gate source	20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	2,3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V.
Larghezza	4mm
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, P, 0,065 Ω, 0,17 Ω, 3,4 A, 4,7 A, SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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