1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo P, Tipo N, 170 mΩ, 4.7 A 55 V, SO-8, Superficie Depletion, 8 Pin IRF7343TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1915
Codice costruttore:
IRF7343TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SO-8

Serie

IRF7343PbF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

960mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Non conforme

Infineon IRF7343 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale N e P doppio 55V in contenitore SO-8.

Conformità RoHS

Bassa resistenza RDS(on)

Valore nominale dv/dt dinamico

Commutazione rapida

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