MOSFET DiodesZetex, canale P, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-8886
Codice costruttore:: DMP32D4S-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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3000 +	0,077 €	231,00 €

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Codice RS:: 170-8886
Codice costruttore:: DMP32D4S-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMP32D4S 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	1,2 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, 30 V, Diodes Inc

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