MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD053N08N3GATMA1

Codice RS:: 171-1937
Codice costruttore:: IPD053N08N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD053N08N3GATMA1

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

18,40 €

(IVA esclusa)

22,40 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

8480 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
10 +	1,84 €	18,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 171-1937
Codice costruttore:: IPD053N08N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	IPD053N08N3 G
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	52nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Larghezza	7.36mm
	Altezza	2.41mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package TO-252
	Serie IPD053N08N3 G
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Larghezza 7.36mm
	Altezza 2.41mm
	Standard automobilistico No

IPD053N08N3 Datasheet

Non applicabile

MOSFET Infineon

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Infineon TO-252-3 è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 5,3 mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 80V. Ha una dissipazione di potenza massima di 150W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET affronta le applicazioni più impegnative offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. È stato progettato per soddisfare e superare i requisiti di efficienza energetica e densità di potenza degli standard di regolazione della tensione di nuova generazione più severi nelle applicazioni informatiche. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• raffreddamento su due lati

Eccellente carica di gate x prodotto RDS (ON) (FOM) •

Placcatura senza piombo (Pb) •

Bassa induttanza parassita •

• Profilo basso (<0, 7mm)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

• tecnologia ottimizzata per convertitori c.c.-c.c.

• superiore resistenza termica

Applications

• C.A.-C.C.

• adattatore

• C.C.-C.C.

LED •

• Controllo motori

• alimentazione PC

• alimentatori per server

• SMPS

• Settore fotovoltaico

• Telecomunicazioni

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC