MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD053N08N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1937
Codice costruttore:
IPD053N08N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPD053N08N3 G

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

7.36 mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

MOSFET Infineon


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Infineon TO-252-3 è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 5,3 mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 80V. Ha una dissipazione di potenza massima di 150W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET affronta le applicazioni più impegnative offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. È stato progettato per soddisfare e superare i requisiti di efficienza energetica e densità di potenza degli standard di regolazione della tensione di nuova generazione più severi nelle applicazioni informatiche. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• raffreddamento su due lati

Eccellente carica di gate x prodotto RDS (ON) (FOM) •

Placcatura senza piombo (Pb) •

Bassa induttanza parassita •

• Profilo basso (<0, 7mm)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

• tecnologia ottimizzata per convertitori c.c.-c.c.

• superiore resistenza termica

Applications


• C.A.-C.C.

• adattatore

• C.C.-C.C.

LED •

• Controllo motori

• alimentazione PC

• alimentatori per server

• SMPS

• Settore fotovoltaico

• Telecomunicazioni

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC

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