MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.3 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 170-2284
- Codice costruttore:
- IPD068N10N3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,795 € | 1.987,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-2284
- Codice costruttore:
- IPD068N10N3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | IPD068N10N3 G | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Larghezza | 7.47 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie IPD068N10N3 G | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.41mm | ||
Larghezza 7.47 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Non applicabile
MOSFET Infineon
Il MOSFET Infineon PG-TO-252-3 a canale N per montaggio superficiale è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 6,8 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Ha una dissipazione di potenza massima di 71W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• prodotti facili da progettare
• Eco-compatibile
Eccellente carica di gate x prodotto RDS (ON) (FOM) •
Eccellenti prestazioni di commutazione •
• Senza alogeni
• massima densità di potenza
• Maggiore efficienza
Placcatura senza piombo (Pb) •
• minore collegamento in parallelo richiesto
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
• minimo consumo di spazio su scheda
• Qg e Qgd molto bassi
RDS minima (on) • al mondo
Applications
Amplificatori audio di classe D •
Convertitori c.c.-c.c. isolati • (sistemi di comunicazione dati e telecomunicazioni)
• controllo di motori per sistemi 48V-80V (veicoli nazionali, utensili elettrici, carrelli)
• interruttori o-ring e interruttori automatici nei sistemi 48V
Raddrizzatore sincrono da •
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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