MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.3 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1987,50 €

(IVA esclusa)

2425,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 17.500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,795 €1.987,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
170-2284
Codice costruttore:
IPD068N10N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPD068N10N3 G

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

7.47 mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

MOSFET Infineon


Il MOSFET Infineon PG-TO-252-3 a canale N per montaggio superficiale è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 6,8 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Ha una dissipazione di potenza massima di 71W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• prodotti facili da progettare

• Eco-compatibile

Eccellente carica di gate x prodotto RDS (ON) (FOM) •

Eccellenti prestazioni di commutazione •

• Senza alogeni

• massima densità di potenza

• Maggiore efficienza

Placcatura senza piombo (Pb) •

• minore collegamento in parallelo richiesto

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

• minimo consumo di spazio su scheda

• Qg e Qgd molto bassi

RDS minima (on) • al mondo

Applications


Amplificatori audio di classe D •

Convertitori c.c.-c.c. isolati • (sistemi di comunicazione dati e telecomunicazioni)

• controllo di motori per sistemi 48V-80V (veicoli nazionali, utensili elettrici, carrelli)

• interruttori o-ring e interruttori automatici nei sistemi 48V

Raddrizzatore sincrono da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC

Link consigliati