MOSFET Infineon, canale N, 12,3 mΩ, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale da PG A 252-3 Infineon è un nuovo prodotto di età con una resistenza drain-source di 6,8 mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Ha una dissipazione di potenza massima di 150W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima rispettivamente di 6V e 10V. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• prodotti Facili da progettare
• Eco-compatibile
• eccellente carica gate x prodotto R DS (ON) (FOM)
• eccellenti prestazioni di commutazione
• Senza alogeni
• massima densità di potenza
• Ideale per commutazione ad alta frequenza e rettifica sincrona
• Maggiore efficienza
• placcatura senza piombo (Pb)
• È richiesta una messa in parallelo Inferiore
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• consumo minimo di spazio su scheda
• Qg e Qgd Molto bassi
• RDS più bassa del mondo (ON)

Amplificatori audio di classe D •
• convertitori c.c.-c.c. Isolati (sistemi di comunicazione dati e telecomunicazioni)
• controllo motore per sistemi 48V-80V (veicoli domestici, utensili elettrici, carrelli)
• interruttori o-ring e interruttori automatici nei sistemi 48V
• raddrizzatore sincrono

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.