MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.3 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD068N10N3GATMA1

Codice RS:: 171-1939
Codice costruttore:: IPD068N10N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.3 mΩ Miglioramento, 90 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD068N10N3GATMA1

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100 - 240	0,606 €	6,06 €
250 - 490	0,575 €	5,75 €
500 - 990	0,529 €	5,29 €
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Codice RS:: 171-1939
Codice costruttore:: IPD068N10N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	IPD068N10N3 G
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	12.3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	51nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Tensione diretta Vf	1V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	7.47 mm
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.41mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie IPD068N10N3 G
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Tensione diretta Vf 1V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 7.47 mm
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.41mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Non applicabile

MOSFET Infineon

Il MOSFET Infineon PG-TO-252-3 a canale N per montaggio superficiale è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 6,8 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Ha una dissipazione di potenza massima di 71W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• prodotti facili da progettare

• Eco-compatibile

Eccellente carica di gate x prodotto RDS (ON) (FOM) •

Eccellenti prestazioni di commutazione •

• Senza alogeni

• massima densità di potenza

• Maggiore efficienza

Placcatura senza piombo (Pb) •

• minore collegamento in parallelo richiesto

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

• minimo consumo di spazio su scheda

• Qg e Qgd molto bassi

RDS minima (on) • al mondo

Applications

Amplificatori audio di classe D •

Convertitori c.c.-c.c. isolati • (sistemi di comunicazione dati e telecomunicazioni)

• controllo di motori per sistemi 48V-80V (veicoli nazionali, utensili elettrici, carrelli)

• interruttori o-ring e interruttori automatici nei sistemi 48V

Raddrizzatore sincrono da •

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC