MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 50 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
171-3617
Codice costruttore:
TSM230N06CP ROG
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

2.3mm

Larghezza

5.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

IEC 61249

Il MOSFET di potenza a canale N 60V, 50A, 28mΩ, a 3 pin di Taiwan Semiconductor è dotato di configurazione a transistor singolo e modalità canale di miglioramento.

Testato con effetto valanga al 100%

Commutazione rapida

Conformità RoHS

Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

Dissipazione di potenza max. 53W

La tensione di soglia del gate è compresa tra 1,2 V-2,5 V.

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