MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 8,5 Ω, 1,85 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
171-3619
Codice costruttore:
TSM2N100CP ROG
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,85 A

Tensione massima drain source

1000 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8,5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5.5V

Tensione di soglia gate minima

3.5V

Dissipazione di potenza massima

77 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±30 V

Lunghezza

6.6mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

17 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

6.1mm

Altezza

2.3mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.4V

Taiwan Taiwan Semiconductor 1000V, 1. 85A, 8. Il MOSFET di potenza a canale N, 3 pin, ha una configurazione a transistor singolo e modalità canale potenziata. 5Ω È generalmente utilizzato in applicazioni di illuminazione a LED c.a./c.c., alimentatori e misuratori di potenza.

Testato con effetto valanga al 100%
Advanced Planar Process
Conforme alla direttiva RoHS 2011/65/UE e in conformità alla direttiva WEEE 2002/96/CE
Senza alogeni in conformità a IEC 61249-2-21
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 77W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 3,5 V e 5,5 V.

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