MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 8,5 Ω, 1,85 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 171-3619
- Codice costruttore:
- TSM2N100CP ROG
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
1,029 €
(IVA esclusa)
1,255 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,029 € | 2.572,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-3619
- Codice costruttore:
- TSM2N100CP ROG
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Taiwan Taiwan Semiconductor 1000V, 1. 85A, 8. Il MOSFET di potenza a canale N, 3 pin, ha una configurazione a transistor singolo e modalità canale potenziata. 5Ω È generalmente utilizzato in applicazioni di illuminazione a LED c.a./c.c., alimentatori e misuratori di potenza.
Testato con effetto valanga al 100%
Advanced Planar Process
Conforme alla direttiva RoHS 2011/65/UE e in conformità alla direttiva WEEE 2002/96/CE
Senza alogeni in conformità a IEC 61249-2-21
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 77W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 3,5 V e 5,5 V.
Advanced Planar Process
Conforme alla direttiva RoHS 2011/65/UE e in conformità alla direttiva WEEE 2002/96/CE
Senza alogeni in conformità a IEC 61249-2-21
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 77W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 3,5 V e 5,5 V.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,85 A |
| Tensione massima drain source | 1000 V |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 8,5 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 3.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 77 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±30 V |
| Lunghezza | 6.6mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 6.1mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 17 nC a 10 V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.4V |
| Altezza | 2.3mm |
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