MOSFET ROHM, canale P, 70 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-0387
Codice costruttore:: RD3H160SPTL1
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale P, 70 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 172-0387
Codice costruttore:: RD3H160SPTL1
Costruttore:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	45 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	RD3H160SP
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	20 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	16 nC a 5 V
Lunghezza	6.8mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	2.3mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET ROHM, canale P, 70 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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