MOSFET ROHM, canale P, 147 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-0386
Codice costruttore:: RD3H080SPTL1
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale P, 147 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 172-0386
Codice costruttore:: RD3H080SPTL1
Costruttore:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	45 V
Serie	RD3H080SP
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	147 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	15 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	6.8mm
Carica gate tipica @ Vgs	9 nC a 5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	6.4mm
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	2.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET ROHM, canale P, 147 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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