MOSFET ROHM, canale P, 147 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
172-0386
Codice costruttore:
RD3H080SPTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

8 A

Tensione massima drain source

45 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

RD3H080SP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

147 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

15 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Larghezza

6.4mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

9 nC a 5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.3mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Il modello RD3H080SP è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo.
Elevata velocità di commutazione.
I circuiti di azionamento possono essere semplici.
Uso in parallelo facile.
Placcatura senza piombo

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