2 MOSFET onsemi Drain comune, canale Tipo N, Tipo P, 54 mΩ, 9 A 40 V, TO-252, Superficie Miglioramento, 5 Pin FDD8424H
- Codice RS:
- 671-0356
- Codice costruttore:
- FDD8424H
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 671-0356
- Codice costruttore:
- FDD8424H
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 54mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20, -20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Drain comune | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20, -20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Drain comune | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
MOSFET a doppio canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono un aumento dell'efficienza del sistema e della densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate (Qg), una piccola carica di recupero inverso (Qrr) e un corpo di diodo di recupero inverso morbido, che contribuisce alla rapida commutazione della rettifica sincrona negli alimentatori c.a./c.c.
I MOSFET PowerTrench® più recenti impiegano una struttura a gate schermato che fornisce un bilanciamento della carica. Utilizzando questa tecnologia avanzata, la FOM (Figure of Merit) di questi dispositivi è significativamente inferiore rispetto a quella della generazione precedente.
Le prestazioni dei diodi a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale superiore.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
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