MOSFET onsemi, canale Tipo P 100 V, 530 mΩ Miglioramento, 6.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
166-2629
Codice costruttore:
FQD8P10TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

QFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

530mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

-4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.1 mm

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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