MOSFET onsemi, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 103-5122
Codice costruttore:: NTD25P03LT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,524 €

(IVA esclusa)

0,639 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,524 €	1.310,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 103-5122
Codice costruttore:: NTD25P03LT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	25 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	75 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-15 V, +15 V
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 5 V
Larghezza	6.22mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.73mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.38mm

MOSFET onsemi, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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