MOSFET onsemi, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 773-7888
Codice costruttore:: NTD25P03LT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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50 - 95	0,894 €	4,47 €
100 - 495	0,774 €	3,87 €
500 - 995	0,682 €	3,41 €
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Codice RS:: 773-7888
Codice costruttore:: NTD25P03LT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	25 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	75 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-15 V, +15 V
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 5 V
Larghezza	6.22mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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