MOSFET onsemi, canale P, 530 mΩ, 6,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-1043
Codice costruttore:: FQD8P10TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 530 mΩ, 6,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 671-1043
Codice costruttore:: FQD8P10TM
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin DPAK
ESD Control Selection Guide V1
Product Change Notification

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,6 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	530 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC @ 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	6.1mm
Lunghezza	6.6mm
Altezza	2.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 530 mΩ, 6,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

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