MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 480 mΩ Miglioramento, 6.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 913-4795
- Codice costruttore:
- IRFR9120NTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 913-4795
- Codice costruttore:
- IRFR9120NTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 480mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 480mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 6,6 A, dissipazione di potenza massima di 40 W - IRFR9120NTRPBF
Questo MOSFET svolge un ruolo fondamentale nei circuiti elettronici contemporanei, soprattutto nelle applicazioni che richiedono una gestione efficiente della corrente. Si caratterizza per la capacità di fornire prestazioni elevate e bassa resistenza all'accensione, che lo rendono adatto a un'ampia gamma di sistemi elettrici ed elettronici. Questo dispositivo è stato progettato per soddisfare i requisiti di settori quali l'automazione, l'elettrotecnica e altre aree che dipendono da soluzioni di gestione dell'alimentazione.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 6,6A supporta un funzionamento efficace
• In grado di gestire tensioni fino a 100 V per le applicazioni più esigenti
• Progettato in un pacchetto DPAK TO-252 per un preciso montaggio in superficie
• La bassa resistenza massima drain-source di 480mΩ migliora l'efficienza di potenza
• Fornisce una tensione di soglia del gate compresa tra 2 e 4 V per un controllo affidabile
• Supporta il funzionamento in modalità enhancement per migliorare le prestazioni di commutazione
Applicazioni
• Utilizzato per la gestione dell'energia nei sistemi di automazione
• Impiegato nei progetti di convertitori DC-DC
• Adatto per la commutazione di correnti elevate in apparecchiature industriali
• Integrato nei circuiti di alimentazione per prestazioni efficienti
• Applicabile ai circuiti di inverter e al controllo dei motori
Qual è la temperatura di esercizio ottimale per questo prodotto?
La temperatura operativa ottimale va da -55°C a +150°C, consentendo prestazioni efficienti in vari ambienti.
In che modo la tensione di soglia del gate può influenzare le prestazioni?
La tensione massima di soglia del gate influisce sul comportamento di commutazione; l'intervallo definito da 2V a 4V garantisce condizioni di accensione e spegnimento affidabili.
Esiste un metodo specifico per il montaggio di questo dispositivo?
È stato progettato per applicazioni a montaggio superficiale, in particolare all'interno dell'ingombro DPAK TO-252, facilitando l'integrazione nei layout dei circuiti stampati.
Cosa significa il basso valore di RDS(on) per il mio circuito?
Un basso RDS(on) contribuisce a minimizzare la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva del sistema e riducendo la generazione di calore.
Questo prodotto è in grado di gestire la corrente inversa?
Sì, possiede caratteristiche adatte a gestire efficacemente le correnti inverse, garantendo la stabilità in varie applicazioni.
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