MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 480 mΩ Miglioramento, 6.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR9120NTRPBF

Codice RS:: 827-4082
Codice costruttore:: IRFR9120NTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 480 mΩ Miglioramento, 6.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR9120NTRPBF

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Codice RS:: 827-4082
Codice costruttore:: IRFR9120NTRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	6.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	480mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	40W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.6V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	27nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	2.39mm
	Larghezza	6.22 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Distrelec Product Id	304-44-467
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 6.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 480mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 40W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.6V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 2.39mm
	Larghezza 6.22 mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Distrelec Product Id 304-44-467
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 6,6 A, dissipazione di potenza massima di 40 W - IRFR9120NTRPBF

Questo MOSFET svolge un ruolo fondamentale nei circuiti elettronici contemporanei, soprattutto nelle applicazioni che richiedono una gestione efficiente della corrente. Si caratterizza per la capacità di fornire prestazioni elevate e bassa resistenza all'accensione, che lo rendono adatto a un'ampia gamma di sistemi elettrici ed elettronici. Questo dispositivo è stato progettato per soddisfare i requisiti di settori quali l'automazione, l'elettrotecnica e altre aree che dipendono da soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi

• L'elevata corrente di drenaggio continua di 6,6A supporta un funzionamento efficace

• In grado di gestire tensioni fino a 100 V per le applicazioni più esigenti

• Progettato in un pacchetto DPAK TO-252 per un preciso montaggio in superficie

• La bassa resistenza massima drain-source di 480mΩ migliora l'efficienza di potenza

• Fornisce una tensione di soglia del gate compresa tra 2 e 4 V per un controllo affidabile

• Supporta il funzionamento in modalità enhancement per migliorare le prestazioni di commutazione

Applicazioni

• Utilizzato per la gestione dell'energia nei sistemi di automazione

• Impiegato nei progetti di convertitori DC-DC

• Adatto per la commutazione di correnti elevate in apparecchiature industriali

• Integrato nei circuiti di alimentazione per prestazioni efficienti

• Applicabile ai circuiti di inverter e al controllo dei motori

Qual è la temperatura di esercizio ottimale per questo prodotto?

La temperatura operativa ottimale va da -55°C a +150°C, consentendo prestazioni efficienti in vari ambienti.

In che modo la tensione di soglia del gate può influenzare le prestazioni?

La tensione massima di soglia del gate influisce sul comportamento di commutazione; l'intervallo definito da 2V a 4V garantisce condizioni di accensione e spegnimento affidabili.

Esiste un metodo specifico per il montaggio di questo dispositivo?

È stato progettato per applicazioni a montaggio superficiale, in particolare all'interno dell'ingombro DPAK TO-252, facilitando l'integrazione nei layout dei circuiti stampati.

Cosa significa il basso valore di RDS(on) per il mio circuito?

Un basso RDS(on) contribuisce a minimizzare la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva del sistema e riducendo la generazione di calore.

Questo prodotto è in grado di gestire la corrente inversa?

Sì, possiede caratteristiche adatte a gestire efficacemente le correnti inverse, garantendo la stabilità in varie applicazioni.