MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 6.6 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90N10S4L06ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3055
Codice costruttore:
IPD90N10S4L06ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. Ha basse perdite di potenza di conduzione e commutazione per un'elevata efficienza termica.

Canale N - modalità potenziata

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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