3 MOSFET Vishay Drain comune, canale Tipo P, Tipo N, 30 A 200 V, Triplo dado, Superficie Miglioramento, 10 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5065
Codice costruttore:
SQUN702E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

Triplo dado

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.79V

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Drain comune

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

3

Standard automobilistico

AEC-Q101

Coppia di MOSFET a drain comune a 40 V N e a canale P per uso automobilistico e MOSFET a canale N a 200 V.

Pacchetto triplo stampo ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET®

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