MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 13.5 mΩ N, 62 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ096N10LS5ATMA1
- Codice RS:
- 214-4343
- Codice costruttore:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4343
- Codice costruttore:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 62A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.5mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Larghezza | 3.4 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 62A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.5mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Larghezza 3.4 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre l'innovativo R DS(on) di un MOSFET Trench insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.
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