MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13.5 mΩ N, 62 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ096N10LS5ATMA1
- Codice RS:
- 214-4343
- Codice costruttore:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 100 - 240 | 1,236 € | 12,36 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4343
- Codice costruttore:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 62A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.5mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 62A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.5mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 62 A - BSZ096N10LS5ATMA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richiesti una conduzione efficiente e un fattore di forma compatto. Funziona su un ampio intervallo termico ed è adatto per circuiti elettronici impegnativi che richiedono una robusta gestione della corrente e una bassa perdita di conduzione senza specificare le dimensioni meccaniche.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassissima resistenza in stato attivo di 13.5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 62 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V consente il funzionamento ad alta tensione
• La dissipazione di potenza massima di 69 W consente un carico termico elevato
• La carica gate tipica di 12 nC consente una commutazione più rapida ad alta frequenza
• La resistenza gate-source 20 V fornisce margine per i segnali gate-drive
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 62 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V consente il funzionamento ad alta tensione
• La dissipazione di potenza massima di 69 W consente un carico termico elevato
• La carica gate tipica di 12 nC consente una commutazione più rapida ad alta frequenza
• La resistenza gate-source 20 V fornisce margine per i segnali gate-drive
Applicazioni
• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente continua
• Utilizzato con regolatori a commutazione rapida nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria in sistemi ad alta tensione
• Impiegato nella distribuzione dell'alimentazione dei server e nell'alimentazione dei data center
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente continua
• Utilizzato con regolatori a commutazione rapida nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria in sistemi ad alta tensione
• Impiegato nella distribuzione dell'alimentazione dei server e nell'alimentazione dei data center
Quali temperature estreme tollera durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termicamente difficili.
Quale montaggio e disposizione dei pin utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?
Il componente è un dispositivo a montaggio superficiale fornito in un pacchetto PQFN a 8 pin progettato per un'implementazione compatta a livello di scheda.
Qual è il tipo di canale di conduzione e come influisce sulla progettazione dei circuiti?
Utilizza un dispositivo di potenziamento a canale N, che richiede un'adeguata polarità gate-drive ed è ottimizzato per topologie di commutazione low-side o sincrone.
In che modo la tensione diretta influisce sulle prestazioni di commutazione?
La tensione diretta di 1,2 V indica la caratteristica di conduzione del diodo durante gli eventi corpo-diodo e fornisce informazioni sui calcoli di perdita di conduzione durante la commutazione.
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