MOSFET Infineon, canale N, 0,0135 Ω, 62 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 214-4342
Codice costruttore:: BSZ096N10LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0135 Ω, 62 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,485 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,485 €	2.425,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 214-4342
Codice costruttore:: BSZ096N10LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - BSZ096N10LS5ATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	62 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	PQFN 3 x 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0135 Ω
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Infineon, canale N, 0,0135 Ω, 62 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

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