MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13.5 mΩ N, 62 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
214-4342
Codice costruttore:
BSZ096N10LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.5mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 62 A - BSZ096N10LS5ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richiesti una conduzione efficiente e un fattore di forma compatto. Funziona su un ampio intervallo termico ed è adatto per circuiti elettronici impegnativi che richiedono una robusta gestione della corrente e una bassa perdita di conduzione senza specificare le dimensioni meccaniche.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassissima resistenza in stato attivo di 13.5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 62 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V consente il funzionamento ad alta tensione
• La dissipazione di potenza massima di 69 W consente un carico termico elevato
• La carica gate tipica di 12 nC consente una commutazione più rapida ad alta frequenza
• La resistenza gate-source 20 V fornisce margine per i segnali gate-drive

Applicazioni


• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente continua
• Utilizzato con regolatori a commutazione rapida nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria in sistemi ad alta tensione
• Impiegato nella distribuzione dell'alimentazione dei server e nell'alimentazione dei data center

Quali temperature estreme tollera durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termicamente difficili.

Quale montaggio e disposizione dei pin utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


Il componente è un dispositivo a montaggio superficiale fornito in un pacchetto PQFN a 8 pin progettato per un'implementazione compatta a livello di scheda.

Qual è il tipo di canale di conduzione e come influisce sulla progettazione dei circuiti?


Utilizza un dispositivo di potenziamento a canale N, che richiede un'adeguata polarità gate-drive ed è ottimizzato per topologie di commutazione low-side o sincrone.

In che modo la tensione diretta influisce sulle prestazioni di commutazione?


La tensione diretta di 1,2 V indica la caratteristica di conduzione del diodo durante gli eventi corpo-diodo e fornisce informazioni sui calcoli di perdita di conduzione durante la commutazione.

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