MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 13.5 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
217-2614
Codice costruttore:
IRFH8334TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.02mm

Larghezza

4.98 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.17mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 30V in contenitore PQFN 5mm X 6mm.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Ottimizzato per tensione gate-drive 5V (denominato livello logico)

Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

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