MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 31 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

2460,00 €

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Codice RS:
168-5987
Codice costruttore:
IRFH5015TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.85mm

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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