MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 58 mΩ, 27 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
257-5525
Codice costruttore:
IRFH5215TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

RDSon basso (< 58 m)

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<12 °C/W)

Testato al 100% Rg

Profilo basso (<09 mm)

Pinatura standard industriale

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

Conforme a RoHS che non contiene piombo, bromuro e alogeni per l'ambiente

MSL1, qualificazione industriale

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