MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 31 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH5015TRPBF
- Codice RS:
- 130-0975
- Codice costruttore:
- IRFH5015TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,85 €
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 130-0975
- Codice costruttore:
- IRFH5015TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 44A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 31mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 44A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 31mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5 mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
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