MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 15.5 mΩ, 58 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2705,00 €

(IVA esclusa)

3300,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,541 €2.705,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
232-6777
Codice costruttore:
ISZ0804NLSATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.5mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.4mm

Altezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 100 V di Infineon è progettato per applicazioni con USB-PD e adattatori. Il contenitore PQFN 3.3x3.3 offre tempi rapidi di salita e di consegna ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico

Eccellente comportamento termico

Testato con effetto valanga al 100%

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.