3 MOSFET Vishay Drain comune, canale Tipo P, Tipo N, 30 A 200 V, Triplo dado, Superficie Miglioramento, 10 Pin

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Codice RS:
188-4925
Codice costruttore:
SQUN702E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

Triplo dado

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione diretta Vf

0.79V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

175°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Configurazione transistor

Drain comune

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

3

Standard automobilistico

AEC-Q101

Coppia di MOSFET a drain comune a 40 V N e a canale P per uso automobilistico e MOSFET a canale N a 200 V.

Pacchetto triplo stampo ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET®

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