3 MOSFET Vishay Drain comune, canale Tipo P, Tipo N, 30 A 200 V, Triplo dado, Superficie Miglioramento, 10 Pin

Codice RS:: 188-4925
Codice costruttore:: SQUN702E-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

3 MOSFET Vishay Drain comune, canale Tipo P, Tipo N, 30 A 200 V, Triplo dado, Superficie Miglioramento, 10 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

3552,00 €

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Codice RS:: 188-4925
Codice costruttore:: SQUN702E-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	Triplo dado
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	10
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.79V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	23nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	60W
	Configurazione transistor	Drain comune
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	3
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package Triplo dado
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 10
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.79V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 60W
	Configurazione transistor Drain comune
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 3
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet SQUN702E-T1_GE3

MOSFET serie TrenchFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 200 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - SQUN702E-T1_GE3

Questo MOSFET è una famiglia di transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta tensione nei sistemi di controllo automobilistici e industriali. Combina elementi a canale P e N in una configurazione a tripla matrice a drenaggio comune per supportare topologie complesse di gestione dell'alimentazione mentre funziona in un'ampia gamma di temperature adatte per ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale di drenaggio 200 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta correnti di carico sostanziali • Dissipazione di potenza di 60 W per un funzionamento ad alta potenza prolungato • Temperatura d'esercizio massima di 175 °C che consente margini termici elevati • Tolleranza gate 20 V che accoglie le tensioni standard del gate drive • Carica di gate tipica 23 nC che consente prestazioni di commutazione prevedibili

Applicazioni

• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione automobilistica e i circuiti di azionamento del motore • Ideale per le fasi di conversione CC-CC ad alta tensione nei veicoli • Utilizzato per alimentatori a commutazione nell'automazione industriale • Può essere utilizzato per la commutazione del carico e la protezione negli impianti elettrici • Utilizzato con topologie multi-elemento che richiedono canali P e N combinati

Quale ambiente termico può resistere per un funzionamento prolungato?

È classificato per funzionare fino a 175 °C, con un limite ambientale inferiore di -55 °C per gli scenari di avvio a freddo.

In che modo il dispositivo si adatta ai progetti di circuiti a canale misto?

La configurazione a tripla matrice e drain comune integra gli elementi a canale P e N in un unico contenitore per semplificare il layout in disposizioni di commutazione complementari.

Quali considerazioni di montaggio si applicano all'assemblaggio del circuito stampato?

Viene fornito come componente a montaggio superficiale in un contenitore a 10 pin, consentendo l'assemblaggio automatizzato e il posizionamento compatto della scheda.

Quali limiti elettrici devono rispettare i progettisti per i terminali di gate e di drenaggio?

La tensione massima gate-sorgente è di 20 V e la tensione massima drain-sorgente è di 200 V per evitare la sovratensione del dispositivo.