3 MOSFET Vishay Drain comune, canale Tipo P, Tipo N, 30 A 200 V, Triplo dado, Superficie Miglioramento, 10 Pin
- Codice RS:
- 188-4925
- Codice costruttore:
- SQUN702E-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 188-4925
- Codice costruttore:
- SQUN702E-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | Triplo dado | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 10 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Tensione diretta Vf | 0.79V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Configurazione transistor | Drain comune | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 3 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package Triplo dado | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 10 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Tensione diretta Vf 0.79V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Configurazione transistor Drain comune | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 3 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET serie TrenchFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 200 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - SQUN702E-T1_GE3
Questo MOSFET è una famiglia di transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta tensione nei sistemi di controllo automobilistici e industriali. Combina elementi a canale P e N in una configurazione a tripla matrice a drenaggio comune per supportare topologie complesse di gestione dell'alimentazione mentre funziona in un'ampia gamma di temperature adatte per ambienti difficili.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 200 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta correnti di carico sostanziali • Dissipazione di potenza di 60 W per un funzionamento ad alta potenza prolungato • Temperatura d'esercizio massima di 175 °C che consente margini termici elevati • Tolleranza gate 20 V che accoglie le tensioni standard del gate drive • Carica di gate tipica 23 nC che consente prestazioni di commutazione prevedibili
Applicazioni
• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione automobilistica e i circuiti di azionamento del motore • Ideale per le fasi di conversione CC-CC ad alta tensione nei veicoli • Utilizzato per alimentatori a commutazione nell'automazione industriale • Può essere utilizzato per la commutazione del carico e la protezione negli impianti elettrici • Utilizzato con topologie multi-elemento che richiedono canali P e N combinati
Quale ambiente termico può resistere per un funzionamento prolungato?
È classificato per funzionare fino a 175 °C, con un limite ambientale inferiore di -55 °C per gli scenari di avvio a freddo.
In che modo il dispositivo si adatta ai progetti di circuiti a canale misto?
La configurazione a tripla matrice e drain comune integra gli elementi a canale P e N in un unico contenitore per semplificare il layout in disposizioni di commutazione complementari.
Quali considerazioni di montaggio si applicano all'assemblaggio del circuito stampato?
Viene fornito come componente a montaggio superficiale in un contenitore a 10 pin, consentendo l'assemblaggio automatizzato e il posizionamento compatto della scheda.
Quali limiti elettrici devono rispettare i progettisti per i terminali di gate e di drenaggio?
La tensione massima gate-sorgente è di 20 V e la tensione massima drain-sorgente è di 200 V per evitare la sovratensione del dispositivo.