MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 48 mΩ Miglioramento, 63.3 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW65R048CFDAFKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4725
Codice costruttore:
IPW65R048CFDAFKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

48mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.1mm

Larghezza

5.21mm

Lunghezza

16.13mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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