MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 13.5 mΩ N, 45 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD135N08N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3041
Codice costruttore:
IPD135N08N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-TM3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.5mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™. OptiMOS™ è leader di mercato nelle soluzioni altamente efficienti per la generazione di energia (ad es. Micro inverter solare), l'alimentazione (ad es. Server e telecomunicazioni) e il consumo energetico (ad es. Veicolo elettrico).

Canale N, livello normale

Testato con effetto valanga al 100%

Placcatura senza piombo

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