MOSFET Infineon, canale N 30 V, 65 mΩ, 23 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
218-3127
Codice costruttore:
IRLR2703TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

162nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.31mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon HEXFET. Utilizza tecniche Advanced Processing per ottenere la resistenza minima possibile all'accensione per area di silicio. Questo MOSFET è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

Senza piombo

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